Công nghệ Phase-Change Memory (PCM) đã được sử dụng trong các đĩa quang học và công nghệ khác trong hơn 15 năm qua. Và IBM đang được xem xét để sử dụng trong các thiết bị di động như smartphone.
Công nghệ PCM sử dụng dòng điện để viết và đọc dữ liệu từ vật liệu giống như thủy tinh, có thể thay đổi từ nhiều trạng thái sang các dạng tinh thể khi các nguyên tử được sắp xếp lại, tương ứng với các trạng thái 0-1 trong điện toán nên có thể được dùng để lưu trữ dữ liệu.
Tại Hội thảo khoa học về bộ nhớ diễn ra ở Paris (Pháp) hôm 17.5, IBM chứng minh có thể giảm chi phí của PCM để giúp nó cạnh tranh với bộ nhớ flash và rẻ hơn so với DRAM. Ban đầu, PCM được IBM phát triển nhằm giải quyết bài toán lưu trữ nhiều bit dữ liệu hơn. Vào năm 2011, công ty đã có thể lưu trữ 2 bit dữ liệu vào 1 cell bộ nhớ PCM. Và tại sự kiện vừa qua, công ty đã chứng minh khả năng lưu trữ 3 bit dữ liệu vào 1 cell bộ nhớ PCM ngay cả trong điều kiện môi trường nhiệt độ cao.
Không giống như RAM, PCM không bị mất dữ liệu khi bị ngắt nguồn điện. Nhưng quan trọng hơn, PCM cung cấp tốc độ nhanh hơn khoảng 70 lần so với bộ nhớ flash, mặc dù chậm hơn DRAM khoảng 5-10 lần. IBM cho biết, nếu thiết bị cầm tay được trang bị bộ nhớ PCM, nó có thể hoàn tất khởi động chỉ trong vài giây.
Bình luận