Samsung phát triển mô-đun bộ nhớ DDR5 1 TB

0 Thanh Niên Online

Samsung đã bắt đầu phát triển các mô-đun bộ nhớ DDR5 thế hệ tiếp theo có dung lượng lên đến 1 TB, với mục tiêu hướng đến thị trường máy chủ.

Theo Tom’s Guide, 1 TB là mức cao nhất đối với bộ nhớ DDR5, và điều này diễn ra sau khi Samsung vượt qua các cột mốc dung lượng 64 GB, 128 GB, 512 GB cũng như 768 GB. Bộ nhớ như vậy chủ yếu sẽ hữu ích trong phân khúc máy chủ, bao gồm cả bộ vi xử lý AMD Epyc thuộc thế hệ Genoa mà AMD dự kiến giới thiệu ​​vào cuối năm nay.

Samsung phát triển mô-đun bộ nhớ DDR5 1 TB - ảnh 1

Mô-đun bộ nhớ DDR5 1 TB của Samsung được thiết kế hướng đến thị trường máy chủ

samsung

So với bộ nhớ DDR4 và các mô-đun bộ nhớ cũ hơn, điện áp cho DDR5 giảm xuống còn 1,1 V, trong khi xung nhịp có thể lên đến 7.200 MHz hoặc cao hơn, và các dải tần cũng được nâng lên 32, cao gấp đôi so với con số ban đầu.

Các nhà nghiên cứu tại Samsung hiện nghiên cứu và phát triển các mức công suất cao hơn, bao gồm việc tăng dung lượng lên 32 Gb cho DRAM, trong khi tăng số lượng ngăn xếp lên 8. Để làm được điều này, công ty Hàn Quốc sẽ áp dụng các kỹ thuật ngăn xếp 3D-Stacking và 8-Hi stack, trong khi vẫn giữ dung lượng bộ nhớ đơn ở mức cao cấp, vượt qua ổ cứng SSD.

Dĩ nhiên, chi phí cho một mô-đun DDR5 1 TB sẽ khá đắt, đặc biệt với người tiêu dùng. Vì vậy, khách hàng tập trung của Samsung sẽ là doanh nghiệp và máy chủ đám mây. CPU EPYC 9000 “họ Genoa” của AMD sẽ yêu cầu băng thông và dung lượng cao để có thể làm việc với 96 lõi và 192 luồng làm việc.

Bên cạnh đó, giới trong ngành cho biết rằng Samsung đang phát triển bộ nhớ DDR6 với dung lượng có thể đạt 1 TB. Khi công nghệ chuyển sang DDR6, kích thước RAM cao hơn 1 TB là điều không gây ngạc nhiên.

VIDEO ĐANG XEM NHIỀU

Đọc thêm

iOS 16 gây sự cố hao pin cho iPhone

iOS 16 gây sự cố hao pin cho iPhone

Kể từ khi được phát hành, iOS 16 đã làm dấy lên nhiều vấn đề, và một trong số đó là nó làm tiêu hao pin của điện thoại nhanh hơn bình thường.