Samsung vừa công bố sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt mô đun bộ nhớ RAM DDR4 128 GB sử dụng công nghệ through silicon via (TSV) với mục tiêu hướng đến doanh nghiệp và trung tâm dữ liệu máy chủ cao cấp.
 Công nghệ TSV giúp Samsung tạo ra những mô đun DRAM hiệu suất cao - Ảnh: Samsung |
Mô đun TSV DRAM mới nhất của Samsung có dung lượng cao nhất và hiệu quả nhất so với bất kỳ mô đun DRAM nào hiện có trên thị trường. Samsung cũng tuyên bố rằng sản phẩm mới sẽ mang đến hiệu suất làm việc mạnh mẽ, tiết kiệm điện năng và độ tin cậy tuyệt vời.
Mô đun bộ nhớ RAM DDR4 128 GB với công nghệ TSV là một bảng bộ nhớ công suất siêu lớn, được hình thành bởi 36 gói bộ nhớ DRAM 4 GB. Tuy nhiên, thay vì sử dụng các dây nối liên kết, các gói TSV gồm các chip được hàn chết lên bảng mạch có độ dày chỉ vài micromet, được đục nhiều lỗ nhỏ và kết nối với điện cực thông qua các lỗ. Đó là những kết nối dọc đến các điện cực, đóng vai trò lớn trong việc truyền tín hiệu.
Đây là công nghệ sáng tạo, cho phép tạo ra các mô đun bộ nhớ có hiệu suất cao, nhưng sử dụng năng lượng thấp nhằm hướng đến các máy chủ thế hệ mới và các trung tâm dữ liệu. Hệ thống mô đun bộ nhớ mới có thể đạt tốc độ cực đại lên đến 2.400 Mbps, gần gấp đôi hiệu suất của công nghệ hiện tại và tiết kiệm đến 50% lượng điện năng.
Samsung cũng dự định sẽ giới thiệu mô đun TSV DRAM có khả năng cung cấp tốc độ truyền lên đến 2.667 Mbps và 3.200 Mbps để đáp ứng nhu cầu sử dụng trong các máy chủ doanh nghiệp trong tương lai không xa.
Bình luận (0)