Qualcomm ra mắt chip Snapdragon 845 vào tháng 12

31/10/2017 08:11 GMT+7

Một bức thư rò rỉ trên Weibo cho thấy Qualcomm có ý định ra mắt chip di động hàng đầu Snapdragon 845 tại Hội nghị Công nghệ Snapdragon vào ngày 4.12 tại đảo Maoyi, Hawaii (Mỹ).

Theo PhoneArena, mặc dù phần lớn thông số phần cứng của Snapdragon 845 vẫn là một bí ẩn nhưng rất nhiều điều đã được tiết lộ về chipset. Ví dụ, chip sẽ đi kèm với 4 lõi Cortex-A75 và 4 lõi Cortex-A53, kèm hiệu suất cải tiến 25% so với Snapdragon 835.
Các tin đồn gần đây cho thấy Snapdragon 845 sẽ được phát triển dựa trên quy trình sản xuất LPE 10 nm (Low Power Early), mặc dù một số thông tin nói rằng nó sẽ đi kèm công nghệ LPP (Low Power Plus) của Samsung. Về lý thuyết nó sẽ làm tăng hiệu suất và cải thiện hiệu quả năng lượng rất nhiều.
Một điểm đặc biệt khác của chip Snapdragon cao cấp tiếp theo từ Qualcomm đó là nó tích hợp sẵn modem hỗ trợ kết nối 5G LTE Cat.18, về lý thuyết cung cấp tốc độ tải về lên đến 1,2 Gbps.
Dự kiến Snapdragon 845 sẽ là chip di động được trang bị trên bộ đôi Galaxy S9 và S9+ mà Samsung phát hành vào năm sau. Trước đó, bộ đôi Galaxy S8 và S8+ cũng trở thành những smartphone đầu tiên được trang bị chip cao cấp Snapdragon 835.

tin liên quan

Qualcomm ra mắt chip Snapdragon X50 hỗ trợ 5G
Qualcomm vừa công bố 2 chip mới cho thiết bị di động, bao gồm Snapdragon 636 cho phân khúc tầm trung và chipset modem 5G Snapdragon X50 sử dụng sóng mmWave đầu tiên thế giới.
Top

Bạn không thể gửi bình luận liên tục. Xin hãy đợi
60 giây nữa.