Theo Neowin, Samsung đã đặt cột mốc mới cho dung lượng của tiêu chuẩn bộ nhớ UFS (Universal Flash Storage). Hãng phát triển thành công loại chip nhớ 1 TB này bằng cách kết hợp giữa 16 lớp bộ nhớ flash V-NAND 512-gigabit xếp chồng lên nhau và một chip điều khiển độc quyền.
Chip nhớ mới sở hữu hiệu năng đáng kinh ngạc khi đạt tốc độ đọc 1.000 MB/giây và tốc độ ghi tuần tự là 260 MB/giây. Tốc độ này được cho là nhanh hơn các loại ổ cứng SSD hay thẻ nhớ microSD thông thường.
Đáng chú ý, kích thước của chip nhớ này không khác gì so với chip nhớ 512 GB năm ngoái, do đó sẽ không chiếm thêm diện tích trong các thiết bị di động.
Người đại diện của công ty nói: “Chip nhớ mới đóng vai trò quan trọng trong việc mang đến cho người dùng điện thoại di động dạng trải nghiệm như khi sử dụng thiết bị laptop. Samsung cam kết sẽ đảm bảo chuỗi cung ứng sản phẩm này hoạt động ổn định, đáng tin cậy và cung cấp sản lượng cần thiết để có thể nâng cấp các điện thoại flagship sắp ra mắt, từ đó, thúc đẩy sự tăng trưởng của thị trường di động toàn cầu”.
Dựa vào phát biểu trên, dường như những smartphone cao cấp của hãng trong năm nay sẽ tích hợp loại chip nhớ mới 1 TB này, và ứng cử viên đầu tiên chính là Galaxy S10.
Bình luận (0)