Theo Slashgear, Samsung cho biết đã thành công trong việc xây dựng vi xử lý có kích thước 10 nanometer, trước Intel và cả những gã khổng lồ khác như Qualcomm, Mediatek... Các bóng bán dẫn có kích thước siêu nhỏ khoảng 0,2 nm, bằng 50 lần kích thước một nguyên tử silicon. Báo Electronic Times của Hàn Quốc cho biết cũng đã có một thỏa thuận độc quyền để sản xuất thế hệ vi xử lý tiếp theo Snapdragon 830 của Qualcomm sử dụng công nghệ 10 nm này.
"Việc đưa công nghệ 10 nm FinFET lần đầu tiên vào sản xuất hàng loạt minh chứng sự dẫn đầu của chúng tôi ở lĩnh vực công nghệ cao cấp. Chúng tôi sẽ tiếp tục những nỗ lực để đổi mới công nghệ, mở rộng quy mô và cung cấp giải pháp khác biệt cho khách hàng" - Jong Shik Yoon, Phó chủ tịch, Trưởng bộ phận kinh doanh tại Samsung Electronics cho biết.
Quy trình 10 nm FinFET mới của Samsung sử dụng cấu trúc bóng bán dẫn 3D tiên tiến với những cải tiến trong công nghệ xử lý và thiết kế so với công nghệ 14 nm trước đó. Công nghệ 10 nm mới cho phép tăng 30% hiệu quả diện tích, tăng 27% hiệu năng với việc giảm 40% điện năng tiêu thụ. Quy trình 10 nm đầu tiên Samsung đang sử dụng được gọi là 10LPE, dự định sẽ tung ra quy trình thứ hai với tên gọi 10LPP trong nửa sau năm 2017.
Các sản phẩm với chip sử dụng quy trình 10LPE sẽ xuất hiện trong các thiết bị vào đầu năm tới. Samsung cũng sẽ sử dụng vi xử lý Snapdragon 830 trong ít nhất một nửa thế hệ điện thoại thông minh Galaxy S tiếp theo ra mắt vào năm 2017.
Bình luận (0)