Công ty CXMT (Trung Quốc) đang thực hiện những bước tiến quan trọng trong quy trình sản xuất DRAM bằng việc áp dụng thành công vật liệu tiên tiến vào các bóng bán dẫn DRAM. Bước tiến này không chỉ giúp hạn chế dòng điện rò rỉ mà còn mở ra cơ hội cho việc phát triển các nút công nghệ tiên tiến hơn trong tương lai.
CXMT vừa 'mở khóa' quy trình sản xuất DRAM 1a tiên tiến
ẢNH: CXMT
Hiện tại, CXMT đang sử dụng công nghệ High-k Metal Gate (HKMG) cho các bóng bán dẫn DRAM của mình. Khi các linh kiện được thu nhỏ đến kích thước nanomet, lớp cách điện silicon dioxide (SiO₂) truyền thống thường trở nên kém hiệu quả, dẫn đến hiện tượng rò rỉ điện qua lớp cách điện. Để khắc phục vấn đề, CXMT đã thay thế silicon dioxide bằng oxit hafni (HfO₂), một vật liệu có hằng số điện môi cao hơn, từ đó giúp lưu trữ nhiều điện tích hơn mà không làm tăng điện áp.
CXMT khiến các ông lớn ngành DRAM 'tỉnh giấc'
Cải tiến mới của CXMT không chỉ giúp giảm thiểu rò rỉ điện mà còn nâng cao hiệu suất năng lượng, cho phép các bóng bán dẫn chuyển đổi trạng thái nhanh hơn so với các cổng polysilicon truyền thống. CXMT hiện áp dụng công nghệ này vào quy trình sản xuất DRAM G4, trước khi chuyển sang quy trình 1a tiên tiến hơn (thế hệ công nghệ sản xuất chip nhớ DRAM khoảng 14-16nm của CXMT) trong thời gian tới.
Ngoài quy trình 1a, CXMT cũng đang trong giai đoạn sản xuất thử nghiệm HBM2E và HBM3, đồng thời chip nhớ DDR6 của công ty đã hoàn thành giai đoạn xác minh nghiên cứu và phát triển (R&D), tiến gần hơn đến sản xuất hàng loạt.
CXMT đang tích cực mở rộng năng lực sản xuất, với mục tiêu đạt 300.000 tấm wafer mỗi tháng vào cuối năm nay, tăng từ 200.000 tấm wafer hiện tại. Công ty cũng đang xây dựng hai nhà máy mới tại Thượng Hải và Hợp Phì với mục tiêu nâng tổng công suất lên 600.000 tấm wafer mỗi tháng. Dự báo, đến năm 2030, CXMT có thể vượt qua Micron về sản lượng, với công suất dự kiến đạt 800.000 tấm wafer mỗi tháng vào năm 2031.
Nhằm đối phó với các CXMT, ba ông lớn trong ngành bộ nhớ gồm Samsung, SK Hynix và Micron cũng đang chuyển sang công nghệ mới dưới 10nm và nghiên cứu quy trình DRAM 3D.
Bình luận (0)