Theo Neowin, Samsung cho biết mô-đun bộ nhớ GDDR7 (16 Gb hoặc 2 GB mỗi chip) mới cải thiện băng thông lên đến 40%, mang lại tốc độ ấn tượng 1,5 TB/giây và 32 Gbps trên mỗi pin. Để so sánh, chip GDDR6 mà Samsung công bố năm ngoái chỉ đạt 1,1 TB/giây.
Công ty có thể cải thiện tốc độ nhờ phương pháp báo hiệu Pulse Amplitude Modulation-3 (PAM3) thay vì Non-Return to Zero (NRZ) trong thế hệ trước. Samsung tuyên bố PAM3 cung cấp nhiều dữ liệu hơn 50% so với NRZ trong cùng một chu kỳ truyền tín hiệu.
Ngoài việc cải thiện tốc độ và tăng cường hiệu suất, bộ nhớ GDDR7 của Samsung còn giảm mức tiêu thụ điện năng và mang lại hiệu quả cải thiện 20% bằng cách sử dụng "công nghệ thiết kế tiết kiệm năng lượng được tối ưu hóa cho các hoạt động tốc độ cao". Các nhà sản xuất cũng sẽ có tùy chọn trang bị cho thiết bị của họ bộ nhớ điện áp thấp, mặc dù ở thời điểm hiện tại không có dữ liệu điện áp chính xác từ Samsung.
Samsung cho biết bộ nhớ GDDR7 của họ có hợp chất đúc epoxy (EMC) có tính dẫn nhiệt cao để cải thiện khả năng tản nhiệt và đảm bảo hiệu suất ổn định trong các hoạt động tốc độ cao chuyên sâu. Với việc chip nhớ GDDR6 được cho là nóng khi hoạt động, GDDR7 hứa hẹn sẽ cải thiện về mặt này.
Samsung cho biết "GDDR7 DRAM của chúng tôi sẽ giúp nâng cao trải nghiệm người dùng trong các lĩnh vực đòi hỏi hiệu suất đồ họa vượt trội, chẳng hạn như máy trạm, PC và bảng điều khiển trò chơi, đồng thời dự kiến sẽ mở rộng sang các ứng dụng trong tương lai như trí tuệ nhân tạo (AI), điện toán hiệu năng cao (HPC) và ô tô. DRAM đồ họa thế hệ tiếp theo sẽ được đưa ra thị trường phù hợp với nhu cầu của ngành và chúng tôi có kế hoạch tiếp tục dẫn đầu trong lĩnh vực này".
Bình luận (0)