|
|
Các kỹ sư của Đại học Quốc gia Singapore đã trình làng một dạng mới của công nghệ Bộ nhớ Truy Cập Ngẫu nhiên Kháng từ (MRAM), theo đó tăng mạnh không gian chứa dữ liệu và đảm bảo những dữ liệu này vẫn có thể sử dụng được trong trường hợp mất điện.
“Không gian lưu trữ sẽ tăng, và bộ nhớ sẽ được củng cố để không cần thiết phải ấn nút “lưu” thường xuyên, do dữ liệu mới nhập sẽ bảo quản tốt dù có xảy ra trường hợp bị mất điện”, theo AFP dẫn lời chuyên gia Yang Hynsoo.
“Các thiết bị và những cỗ máy giờ đây có thể sở hữu bộ nhớ lớn hơn mà không bị thất thoát trong ít nhất 20 năm hoặc hơn. Trong khi đó, các bộ nhớ hiện tại chỉ phủ một lớp từ mỏng, cho phép lưu thông tin trong vòng 1 năm”, theo chuyên gia trên.
Công nghệ MRAM đang lưu hành sử dụng các cấu trúc sắt từ siêu mỏng, rất khó được phủ do độ dày của chúng không đến 1 nanomet, dẫn đến hậu quả là dữ liệu sẽ mất theo thời gian.
Các nhà nghiên cứu có thể giải quyết vấn đề trên bằng cách gia cố các lớp từ chồng lên nhau để đạt được độ dày đến 20 nanomet.
Bên cạnh khả năng gia tăng dung lượng ổ cứng, công nghệ mới lại ít tiêu hao năng lượng, chỉ cần sạc hằng tuần chứ không phải mỗi ngày như đối với các thiết bị di động hiện nay.
Phi Yến
>> Galaxy S4 bị chê bộ nhớ trong "hơi ít
>> Galaxy S4 sẽ có bộ nhớ trong lên đến 64 GB
>> Samsung sản xuất đại trà bộ nhớ di động tốc độ cao
>> Bộ nhớ RAM kênh ba dành cho Core i7
>> Tăng tốc với giải pháp bộ nhớ đồ họa di động 2Gb từ ASUS
Bình luận (0)