(TNO) Hãng IBM đang phát triển một công nghệ mới mang tên Racetrack Memory mà qua đó có thể giúp thế hệ bộ nhớ trong tương lai đạt đến dung lượng của đĩa cứng, trong khi vẫn có được tốc độ và độ bền cao như thiết bị lưu trữ di động.
Theo Infoworld, thế hệ bộ nhớ thể rắn (solid-state memory) được phát triển trên nền tảng Racetrack Memory mới này sẽ sớm thay thế các dòng bộ nhớ NAND Flash hiện nay.
Về cơ bản, công nghệ Racetrack Memory của IBM sử dụng dòng điện để “vận chuyển” các tín hiệu điện từ thông qua mội dải dây dẫn có kích thước nano (rộng 240 nanomet và dày 20 namomet). Sự thay đổi từ tính của tín hiệu sẽ làm cho dây dẫn nano có giá trị tương ứng và mỗi dây dẫn nano đại diện cho một ô (cell) dữ liệu.
IBM cho biết đã thử nghiệm loại bộ nhớ mới này ở cả hai tác vụ đọc và ghi trên các mạch điện tích hợp, và khẳng định tốc độ đã đạt mức của dòng DRAM.
Ngoài ra, IBM cũng nhìn nhận Racetrack Memory có độ bền cao hơn rất nhiều so với bộ nhớ NAND Flash hiện nay vốn đang được sử dụng để sản xuất đĩa cứng thể rắn SSD và thẻ nhớ dành cho điện thoại hay máy tính bảng.
Thông thường, NAND Flash dùng trên thiết bị phổ thông có “tuổi thọ” khoảng 4.000 lần ghi/xóa, trong khi đó NAND Flash được sử dụng trong các trung tâm dữ liệu lớn có thể cho phép từ 50.000 - 100.000 lần ghi/xóa.
An Huy
Bình luận (0)