Theo WCCF Tech, Qualcomm dự kiến sẽ ra mắt chip Snapdragon 8 Gen 4 vào tháng 10 tới, hứa hẹn mang đến hiệu năng mạnh mẽ cho các điện thoại thông minh cao cấp. Tuy nhiên, một số tin đồn mới đây cho rằng con chip này có thể tiêu thụ nhiều điện năng hơn so với thế hệ trước.
Các nguồn tin rò rỉ cho biết chip Snapdragon 8 Gen 4 được sản xuất trên tiến trình 3nm N3E tiên tiến của TSMC, vốn được cho là sẽ giúp tối ưu khả năng tiết kiệm năng lượng. Tuy nhiên, do tập trung vào hiệu năng cao, con chip này cũng có thể tiêu tốn nhiều điện năng. Để giải quyết vấn đề này, các nhà sản xuất điện thoại thông minh có thể phải trang bị viên pin dung lượng lớn hơn cho các thiết bị sử dụng Snapdragon 8 Gen 4.
Snapdragon 8 Gen 4 có thể ngốn điện hơn so với phiên bản tiền nhiệm
CHỤP MÀN HÌNH WCCF TECH
Mới đây, có thêm tin đồn mới từ tài khoản Digital Chat Station trên Weibo, cho biết các điện thoại flagship sử dụng Snapdragon 8 Gen 4 có thể được trang bị pin dung lượng lên đến 5.500 mAh. Và các điện thoại đang được thử nghiệm với pin dung lượng lớn được cho là thuộc các thương hiệu OPPO, Xiaomi, Vivo hoặc các hãng khác của Trung Quốc. Đây là mức dung lượng pin khá lớn, cao hơn so với hầu hết điện thoại thông minh hiện nay.
Nguyên nhân dẫn đến việc Snapdragon 8 Gen 4 có thể ngốn pin hơn bao gồm việc chip này được trang bị cấu trúc "2 + 6" với 2 nhân hiệu năng cao và 6 nhân tiết kiệm năng lượng. Cấu trúc này tương tự như MediaTek Dimensity 9300, vốn được ghi nhận tiêu thụ nhiều điện năng hơn so với các đối thủ cạnh tranh.
Ngoài ra, Snapdragon 8 Gen 4 có thể được trang bị tốc độ xung nhịp cao hơn so với thế hệ trước, dẫn đến việc tiêu thụ nhiều năng lượng hơn.
Hiện tại, đây vẫn chỉ là tin đồn, chưa được xác nhận chính thức. Chúng ta cần chờ đợi thêm thông tin từ Qualcomm để có được đánh giá chính xác về mức tiêu thụ điện năng của Snapdragon 8 Gen 4.
Bình luận (0)