Giờ đây sau hơn 20 năm, một sản phẩm công nghệ mới CoolMOS™ 7 MOSFET siêu tích hợp được giới thiệu bởi Infineon Technologies AG lại tiếp tục tạo tiếng vang trong ngành. Với CoolMOS™ 7 các kỹ sư có thể tạo ra hệ thống năng lượng tái tạo rẻ hơn, hiệu quả hơn và được áp dụng rộng rãi hơn. Ví dụ như việc có thể dựa vào công nghệ CoolMOS™ 7 để thiết kế các trạm sạc xe điện nhỏ hơn với công suất cao hơn giúp sạc xe ô tô nhanh chóng.
CoolMOS P7 MOSFET Siêu liên kết 950V đáp ứng cả những yêu cầu kết cấu khắt khe nhất: đối với đèn chiếu sáng, đồng hồ thông minh, sạc điện thoại, bộ sạc notebook, nguồn điện AUX và các ứng dụng SMPS công nghiệp. Giải pháp bán dẫn mới này đem lại năng suất hiệu quả và nhiệt năng tuyệt vời hơn trong khi mức chi phí cho vật liệu giảm dẫn tới giá thành sản xuất chung thấp hơn.
|
Về mặt kỹ thuật, thuộc tính của CoolMOS P7 950 V bao gồm cả DPAK R DS(on) đem lại kết cấu mật độ cao hơn. Thêm nữa, mức chịu đựng giữa V GS(th) tốt nhất và V GS(th) tệ nhất khiến cho MOSFET trở nên dễ dàng sử dụng và thiết kế. Tương tự với các phiên bản khác trong dòng P7 đang dẫn đầu ngành công nghiệp của Infineon, sản phẩm này cũng có cả bảo vệ đi-ốt Zener ESD tích hợp. Điều này đem lại hiệu suất lắp ráp cao hơn và bớt tốn kém, cũng như giảm bớt những vấn đề trong sản suất liên quan tới ESD.
CoolMOS P7 950 V cho phép tăng hiệu quả đến 1% và giảm nhiệt độ MOSFET từ 2˚C tới 10˚C để đem lại những kết cấu có hiệu quả hơn. Sản phẩm này cho phép giảm thiểu tổn hao do chuyển mạch lên tới 58% so với các thế hệ trước trong dòng CoolMOS nhờ cải tiến hơn 50% so với các công nghệ cạnh tranh trên thị trường.
|
CoolMOS P7 950 V được sản xuất với các mẫu như TO-220 FullPAK, TO-251 IPAK LL, TO-252 DPAK, và SOT-223. Điều này cũng cho phép thay đổi từ thiết bị THD sang thiết bị SMD.
|
Sự cải tiến công nghệ với một dây chuyền sản xuất 300 milimet tự động hóa chất lượng cao giúp CoolMOS™ trở thành MOSFET tối ưu về chất lượng và giá thành trên thị trường hiện nay.
Bình luận (0)