Trong bối cảnh băng thông của trung tâm dữ liệu ngày càng cao, kỳ vọng về hiệu năng của máy chủ và điện toán hiệu năng cao là các yếu tố thúc đẩy nhu cầu về bộ nhớ mật độ cao, tốc độ siêu nhanh hay Bộ nhớ RAM động (DRAM) DDR5.
 |
Giải pháp PathWave ADS 2023 dành cho thiết kế số tốc độ cao của Keysight hàm chứa những cải tiến trong tính năng Memory Designer dành cho mô phỏng DDR5 |
Keysight |
Vận hành ở tốc độ dữ liệu cao gấp đôi DDR4 nên biên thiết kế bị thu hẹp, khiến cho các nhà thiết kế phần cứng gặp khó khăn trong việc tối ưu hóa các bảng mạch in (PCB) để giảm thiểu các hiệu ứng phản xạ, xuyên nhiễu và trượt (jitter). Ngoài ra, hiệu điện thế thấp, dòng điện cao và các yêu cầu mới về cân bằng trong bộ thu DRAM tạo ra những thách thức mới, khó xử lý và chi phí cao, về tính toàn vẹn của tín hiệu.
Giải pháp PathWave ADS 2023 dành cho thiết kế số tốc độ cao của Keysight bảo đảm thiết lập nhanh chóng mô phỏng và các phép đo lường tiên tiến, đồng thời cung cấp cho các nhà thiết kế thông tin trọng yếu để giải quyết các thách thức về tính toàn vẹn của dữ liệu.
Tính năng Memory Designer của giải pháp nhanh chóng tạo ra các trục bộ nhớ theo tham số bằng tính năng mô phỏng trước pre-layout builder, cho phép nhà thiết kế khám phá các lựa chọn cân bằng trong hệ thống, giúp giảm thời gian thiết kế và giảm rủi ro phát triển sản phẩm cho các hệ thống bộ nhớ DDR5, bộ nhớ tốc độ kép, công suất thấp Low-Power Double Data Rate (LPDDR5/5x) và bộ nhớ tốc độ kép đồ họa Graphics Double Data Rate (GDDR6/7).
Stephen Slater, Giám đốc quản lý sản phẩm PathWave HSD tại Keysight Technologies, cho biết: "Keysight luôn giữ vị trí tiên phong về công nghệ mô phỏng kênh và đo kiểm trong các tổ chức tiêu chuẩn công nghiệp về bộ nhớ, bao gồm JEDEC. Chúng tôi cam kết phát triển nhiều nhất các sản phẩm và dịch vụ hỗ trợ DDR, bao gồm luồng quy trình công việc đầy đủ từ thiết kế tới đo kiểm cho bộ nhớ DDR5, từ mô phỏng, tới quá trình thử và sửa (probing và fixturing)".
Bình luận (0)