Máy in thạch bản mới của Nga sẽ sử dụng nguồn sáng laser với bước sóng 11,2 nm, thay vì 13,5 nm như tiêu chuẩn của ASML. Tuy nhiên, bước sóng này không tương thích với các thiết bị EUV hiện có, điều này buộc Nga phải xây dựng một hệ sinh thái in thạch bản riêng và quá trình này có thể kéo dài từ một thập kỷ trở lên.
Máy EUV từ ASML được sử dụng trong nhiều nhà máy bán dẫn tiên tiến hiện nay
ẢNH: INTEL
Để hỗ trợ cho việc phát triển này, các công cụ tự động hóa thiết kế điện tử (EDA) cũng cần được cập nhật. Mặc dù các công cụ EDA hiện tại có thể thực hiện các bước cơ bản như tổng hợp logic và bố cục, nhưng các quy trình phơi nhiễm quan trọng như chuẩn bị dữ liệu mặt nạ và hiệu chỉnh độ gần quang học (OPC) sẽ cần được điều chỉnh hoặc nâng cấp để phù hợp với bước sóng 11,2 nm.
Giá rẻ là lợi thế lớn của máy EUV từ Nga
Dự án này sẽ được dẫn dắt bởi Nikolay Chkhalo đến từ Viện Vật lý vi cấu trúc thuộc Viện Hàn lâm Khoa học Nga. Mục tiêu của Nga là phát triển các máy in thạch bản EUV có hiệu suất cạnh tranh và lợi thế về chi phí so với thiết bị của ASML. Chkhalo cho biết, bước sóng 11,2 nm sẽ cải thiện độ phân giải lên 20%, cung cấp chi tiết tốt hơn, đồng thời đơn giản hóa thiết kế và giảm chi phí cho các thành phần quang học. Điều này cũng giúp giảm tình trạng nhiễm bẩn các phần tử quang học và kéo dài tuổi thọ của các bộ phận quan trọng như bộ thu và màng bảo vệ.
Máy in thạch bản của Nga dự kiến sẽ sử dụng chất quang dẫn gốc silicon với kỳ vọng có hiệu suất tốt hơn ở bước sóng ngắn hơn. Mặc dù công suất của máy in này chỉ đạt 37% so với thiết bị của ASML vốn đạt công suất nguồn sáng 3,6KW, nhưng hiệu suất của nó vẫn đủ để đáp ứng nhu cầu sản xuất chip quy mô nhỏ.
Theo kế hoạch, việc phát triển máy in thạch bản sẽ được chia thành ba giai đoạn. Giai đoạn đầu tiên sẽ tập trung vào nghiên cứu cơ bản, xác định công nghệ chủ chốt và thử nghiệm các thành phần sơ bộ. Giai đoạn thứ hai sẽ sản xuất một máy nguyên mẫu có khả năng xử lý 60 tấm wafer 200 mm mỗi giờ và tích hợp vào dây chuyền sản xuất chip trong nước. Mục tiêu của giai đoạn thứ ba là phát triển một hệ thống sẵn sàng cho nhà máy, có khả năng xử lý 60 tấm wafer 300 mm mỗi giờ. Tuy nhiên, lộ trình này chưa đề cập đến thời gian hoàn thành cho từng giai đoạn.
Bình luận (0)