Theo Neowin, Samsung cho biết mục tiêu ban đầu các chip của họ sẽ là điện toán năng lượng thấp trước khi mở rộng sang chip di động. Samsung đang sử dụng kiến trúc bóng bán dẫn Gate-All-Around để cung cấp các chip này.
 |
Samsung đã đi trước TSMC trong việc bắt đầu sản xuất chip 3nm |
samsung |
Chip 3nm thế hệ đầu tiên sẽ giảm mức tiêu thụ điện năng lên đến 45%, hiệu suất được cải thiện 23% và diện tích sử dụng giảm 16% so với chip 5nm. Cũng theo Samsung, chip 3nm thế hệ thứ hai sẽ giảm tiêu thụ điện năng 50%, cải thiện hiệu suất 30% và giảm diện tích sử dụng xuống 35%.
Nói về quy trình công nghệ mới, đại diện Samsung cho biết: “Samsung đã phát triển nhanh chóng khi chúng tôi tiếp tục chứng tỏ khả năng dẫn đầu trong việc áp dụng các công nghệ thế hệ tiếp theo vào sản xuất, chẳng hạn High-K Metal Gate, FinFET cũng như EUV. Chúng tôi cố gắng tiếp tục dẫn đầu với quy trình 3nm đầu tiên trên thế giới bằng MBCFET. Chúng tôi sẽ tiếp tục đổi mới tích cực trong phát triển công nghệ cạnh tranh và xây dựng các quy trình giúp đẩy nhanh việc thúc đẩy công nghệ trưởng thành”.
Samsung không tiết lộ khi nào người tiêu dùng có thể chứng kiến chip 3nm trên smartphone hàng đầu của mình.
Bình luận (0)