Theo Techradar, bằng cách sử dụng công nghệ tia cực tím (EUV), Samsung đã tăng số lượng lớp EUV trong các chip DDR5 của mình, cho phép chúng nhỏ hơn nhưng với mật độ cao hơn. Điều này giúp mang lại một loạt khả năng thú vị.
Đầu tiên, Samsung cho biết DRAM DDR5 14nm có thể đạt tốc độ 7,2 Gbps, cao hơn gấp đôi so với tốc độ của DDR4 vốn đạt mức cao nhất là 3,2 Gbps.
 |
Công nghệ DRAM DDR5 của Samsung hứa hẹn hiệu suất ấn tượng |
Samsung |
Bằng cách làn nhỏ và dày đặc hơn, mức tiêu thụ điện năng có thể giảm tới 20% và Samsung cũng hy vọng điều này sẽ cải thiện năng suất wafer tổng thể, về cơ bản có nghĩa là hãng có thể tạo ra nhiều chip hơn sử dụng bằng quy trình này - đặc biệt quan trọng trong bối cảnh khủng hoảng chip toàn cầu.
Đối với người dùng mong muốn nâng cấp PC lên bộ nhớ mới của Samsung, họ sẽ phải chờ đợi một thời gian dài khi Samsung vẫn không đưa ra bất kỳ ngày phát hành nào của sản phẩm cho người tiêu dùng. Thay vào đó, Samsung cho biết sản phẩm của họ giúp giải quyết “nhu cầu về hiệu suất và dung lượng lớn hơn trong thế giới dựa trên dữ liệu của 5G, AI (trí tuệ nhân tạo) và metaverse (vũ trụ ảo)”. Vì vậy, bộ nhớ này có vẻ như sẽ được nhắm đến các trung tâm dữ liệu, siêu máy tính và máy chủ.
Mặc dù vậy, người dùng có thể kỳ vọng RAM DDR5 sẽ sớm được phổ biến trên thị trường khi CPU và bo mạch chủ mới hỗ trợ công nghệ này trong tương lai. Alder Lake của Intel sẽ là bộ xử lý đầu tiên làm được điều này.
Tất nhiên, với bất kỳ công nghệ hoàn toàn mới nào, người dùng cần phải chờ đợi một thời gian mới xuất hiện, và không bất ngờ khi RAM DDR5 trong giai đoạn đầu sẽ có giá rất đắt.
Bình luận (0)