Theo PhoneArena, lộ trình được công ty Hàn Quốc trình bày tại Samsung Foundry Forum, bao gồm phát triển chip 4 nm hướng đến các thiết bị thông minh và kế hoạch mới dành cho quy trình 18 nm hướng đến các thiết bị IoT.
Samsung cho biết, quy trình 8 nm Low Power Plus (8LPP) sẽ mang đến một giải pháp cạnh tranh nhất trước khi công ty chuyển sang công nghệ khắc bản mạch bằng tia cực tím EUV (Extreme Ultra Violet). Quy trình 7 nm sẽ là bước đầu tiên sử dụng công nghệ in liti EUV, được phát triển dựa trên sự hợp tác với công ty Hà Lan ASML.
Việc triển khai quy trình 7 nm được cho là rất quan trọng đối với các nhà sản xuất bán dẫn vì nó sẽ phá vỡ rào cản của luật Moore do đồng sáng lập Intel - Gordon Moore đưa ra vào năm 1965. Sự đổi mới này sẽ mở đường cho các quy trình 6LPP, 5LPP và 4LPP.
Khi tiến tới quy trình 6LPP, Samsung sẽ sử dụng giải pháp Smart Scaling mới giúp mở ra nhiều lợi ích cho ngành công nghệ bán dẫn. Trong khi đó 4LPP sẽ là bước triển khai của cấu trúc MBCFET (Multi-Bridge Channel FET) để khắc phục những giới hạn vật lý và hiệu suất của cấu trúc FinFET hiện tại.
Samsung cho biết, việc chuyển đổi từ 10 nm sang 4 nm sẽ mất rất nhiều thời gian và phải đối diện với những trở ngại cũng như vấn đề trong quá trình phát triển. Nhưng khi chip 4 nm xuất hiện, người tiêu dùng sẽ được tận hưởng các thiết bị có hiệu suất nhanh hơn bất chấp năng lượng tiêu hao ít hơn.
Ngoài ra Samsung cũng công bố sẽ phát triển công nghệ xử lý FD-SOI 18 nm hướng đến các thiết bị IoT. Nó sẽ là một cải tiến trong quy trình 28 nm FDS với hiệu quả năng lượng tốt hơn cả về kích thước lẫn hiệu năng.
Bình luận (0)