Theo PhoneArena, báo cáo cho biết chi phí xây dựng cơ sở này sẽ tiêu tốn của TSMC khoản tiền 19,5 tỉ USD, và cơ sở sẽ bắt đầu đi vào hoạt động trong năm 2023. Trước đó, CEO TSMC CC Wei cũng tiết lộ rằng việc phát triển chip 3nm đang diễn ra suôn sẻ.
Về phần mình, Samsung có kế hoạch sản xuất chip 3nm trong khung thời gian 2021-2022 bằng kiến trúc GAA thế hệ tiếp theo của riêng mình. Báo cáo từ Tom’s Hardware cho biết quy trình 3nm của Samsung có mật độ bóng bán dẫn không cao bằng của TSMC, có nghĩa chip của Samsung không đóng gói nhiều bóng bán dẫn vào một không gian nhỏ như ý muốn của TSMC.
Được biết, mặc dù được thiết kế riêng nhưng các chip mạnh mẽ như Snapdragon 855, A13 Bionic và Kirin 990 (của HiSilicon thuộc Huawei) đều có điểm chung là được sản xuất bởi TSMC. Cả ba đều được sản xuất bởi một số biến thể của quy trình 7nm từ TSMC. Quy trình càng thấp, số lượng bóng bán dẫn bên trong chip càng cao giúp nó càng mạnh và tiết kiệm năng lượng hơn. Điển hình, chip Kirin 990 tích hợp modem 5G của HiSilicon đóng gói hơn 10,3 tỉ bóng bán dẫn.
Vào năm 1960, đồng sáng lập Intel Gordon Moore nói rằng số lượng bóng bán dẫn bên trong chip sẽ tăng gấp đôi sau mỗi năm. Định luật này tiếp tục duy trì suốt những năm sau đó cho đến gần đây, khi quy trình sản xuất ngày càng thu hẹp, giới phân tích tin rằng định luật Moore sẽ không còn tồn tại một khi quy trình sản xuất đạt mức 5nm. Nhưng với những gì mà TSMC đã làm với cách tiếp cận xếp chồng bóng bán dẫn theo chiều dọc, mọi thứ tiếp tục được duy trì khi chip 3nm sẽ xuất hiện. Đó là chưa kể các công ty đang nghiên cứu bảng tuần hoàn để tìm nguyên liệu cho việc đóng gói chip tương lai.
Bình luận (0)